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2023
nach oben zur JahresübersichtCharacterization and optimization of NV-ensemble in bulk diamond for sensing application
2023,Nanowires: From process control towards applications
2023,
2022
nach oben zur JahresübersichtAlGaN/GaN-basierte ionenselektive Feldeffekttransistoren zur pH-Wert-Messung in nichtwässrigen Lösungen
2022,Aluminium-Scandium-Nitrid für breitbandige Oberflächenwellenfilter
2022,CVD-Wachstum von Diamantspitzen mit Stickstoff-Vakanz-Zentren für die Raster-Sonden-Magnetometrie
2022,Cavity-enhanced magnetic-field sensing via stimulated emission from nitrogen-vacancy centres in diamond
2022,Diamond-based diodes for high voltage applications
2022,Extended monolithic integration levels for highly functional GaN power ICs
2022,III-V-semiconductor subcell absorbers in silicon-based triple-junction solar cells
2022,Quantum-grade diamond for cavity-based solutions
2022,Small-signal and noise modeling of high-electron-mobility transistors for use in quantum technologies
2022,
2021
nach oben zur JahresübersichtExperimental evaluation of the device design and process technology of the current aperture vertical electron transistor for power electronics applications
2021,Langlebige LED-Beleuchtung für raue Umgebungen mit elektrolytfreiem Treiber durch Oberwelleninjektion
2021,Reliability and degradation mechanisms of GaN high electron mobility transistors with short gate length
2021,Switching characteristics of integrated GaN-on-Si half-bridge and driver circuits
2021,Untersuchung von Rauscheinflüssen auf die präzise Abstandsbestimmung von mmW FMCW-Radaren im Nahbereich
2021,Untersuchungen von Leistungsverstärkern für hochdynamische Plasmalasten
2021,
2020
nach oben zur JahresübersichtAluminium scandium nitride grown by metalorganic chemical vapour deposition
2020,Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
2020,Leistungsfähige Infrarotdetektoren mit hoher Betriebstemperaturen auf Basis antimonidischer Übergitter
2020,Reduktive elektrochemische Exfoliation von Graphenflocken
2020,Surface acoustic wave devices based on c-plane and a-plane AlScN
2020,
2019
nach oben zur JahresübersichtDevelopment and characterization of piezoelectric AlScN-based alloys for electroacoustic applications
2019,Untersuchung der elektro-akustischen und pyroelektrischen Eigenschaften von Aluminium-Scandium-Nitrid für mikroakustische Hochfrequenzfilter
2019,
2018
nach oben zur JahresübersichtAlN-based electro-acoustic sensors for analytics in liquids : from material development to the device
2018,Analysis, design, and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology
2018,Entwicklung piezoelektrisch adaptiver Aluminiumnitrid/Diamant-Linsen für mikrooptische Systeme
2018,Graphene - from synthesis to the application as a virtually massless electrode material for bulk acoustic wave resonators
2018,Luminescence properties of SiV-centers in diamond diodes
2018,Modenverhalten von Quantenkaskadenlasern in miniaturisierten externen Resonatoren
2018,Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant
2018,
2017
nach oben zur JahresübersichtFast-switching monolithically integrated high-voltage GaN-on-Si power converters
2017,Spectroscopic millimeter wave ellipsometry
2017,Toward ultra-thin nanocrystalline diamond film growth: electrostatic self-assembly of non-aggregated diamond nanoparticles onto substrate surfaces
2017,W-Band FMCW MIMO radar demonstrator system for 3D imaging
2017,
2016
nach oben zur JahresübersichtDesign and characterization of highly-efficient GaN-HEMTs for power applications
2016,Dynamic detection of target DNA with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
2016,Dynamische Manipulation von NV-Zentren im Diamant für Quantenoptik
2016,GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
2016,Towards surface-enlarged diamond materials : creation of surface-enlarged diamond electrodes for electrochemical energy applications
2016,
2015
nach oben zur JahresübersichtCharakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
2015,Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
2015,Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier
2015,
2014
nach oben zur JahresübersichtAnalysis of the potential of gallium nitride based monolithic power amplifiers in the microwave domain with more than an octave bandwidth
2014,
2013
nach oben zur JahresübersichtBiofunktionalisierung und -sensorik mit AlGaN/GaN-Feldeffekttransistoren
2013,High power AlGaN/GaN HFETs for industrial, scientific and medical applications
2013,
2011
nach oben zur JahresübersichtAlGaN/GaN-basierte-pH-Sensoren für biochemische Anwendungen
2011,Evaluierung elastischer Eigenschaften von Mikro- und Nanostrukturen
2011,
2010
nach oben zur JahresübersichtGallium nitride based transistors for high-efficiency microwave switch-mode amplifiers
2010,
2009
nach oben zur JahresübersichtMetal organic chemical vapor deposition of indium oxide for ozone sensing
2009,