Master-Arbeiten
Master-Arbeit
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2024
nach oben zur JahresübersichtInvestigation of factors affecting electrical properties of GaN-based HEMTs with Al1-xScxN barrier layers
2024,
2023
nach oben zur JahresübersichtAssessing and quantifying resilience indices for voltage and frequency stability in converter-dominated microgrid
2023,Hybride photovoltaic-thermal-cooling: material development, modeling and testing
2023,Industrial energy efficiency: assessment of thermoelectric generators for industrial waste heat recovery and formulating evidence-based policy frameworks
2023,Interfacial passivations to enhance the performance and stability of carbon-based perovskite solar cells
2023,Kapazitäts-Spannungsmessungen an GaN-basierten Heterostrukturen
2023,
2022
nach oben zur JahresübersichtOnline electrochemical impedance spectroscopy for batteries using a high frequency GaN DC/DC converter
2022,Process development for InP-based thin-film photonic power converters with back reflector
2022,
2021
nach oben zur JahresübersichtDesign and implementation of a highly efficient bidirectional DC-DC converter for multi-phase control of capacitive loads
2021,Development of a photovoltaic module integrated power converter with GaN semiconductors
2021,Dielectric characterization of aluminium scandium nitride on silicon substrates
2021,Entwicklung eines Onboard DC/DC-Wandlers zum Laden der Traktionsbatterie eines E-Autos mittels in der Karosserie integrierter PV-Module
2021,Entwicklung und Aufbau einer Hilfsspannungsversorgung für die nächste Generation großer PV-Kraftwerke
2021,Entwurf und Charakterisierung einer Stromsensorik für 48 V GaN-Traktionsinverter
2021,Epitaxial aluminium scandium nitride for surface acoustic wave devices
2021,Error characterization and reduction with Qiskit
2021,In situ detection of degradation in power modules during lifetime testing using lock-in thermography
2021,Investigation of D-band SiGe BiCMOS building blocks for implementation in a PLL
2021,Investigation of a mHEMT based millimeter-wave true-time delay
2021,Investigation of a mHEMT ultra-wideband vector modulator
2021,Investigation of in-package calibration structures for power bars from sub 6 GHz up to 3rd harmonic frequency
2021,Investigation of interface properties in quantum cascade structures
2021,Simulation-based conception of front-side MSL technologies for GaN HEMT MMICs > 100 GHz
2021,Untersuchung von Hochfrequenz-Transistoren mit einem neuartigen aktiven Load-Pull Messsystem im Millimeterwellen Frequenzbereich (75-110 GHz)
2021,
2020
nach oben zur JahresübersichtCharacterization of wide bandgap semiconductors using the constant photocurrent method
2020,Entwicklung eines DC/AC-Wechselrichters mit Galliumnitrid-Leistungstransistoren für die Stromversorgung in der Aviatik
2020,The influence of mixer nonlinearities on the quality of orthogonal frequency modulated radar data
2020,Untersuchung und Bewertung eines neuen Messverfahrens zur Messung von extremen Impedanzen über die Netzwerkanalyse
2020,
2019
nach oben zur JahresübersichtComparison of SiC MOSFETs and GaN HEMTs for a partial load optimized DC/DC converter for solar battery storage systems
2019,Development and optimization of a concept for vehicles underbody surveillance with radar sensor in the field of highly automated parking
2019,Dunkelstromverursachende Strukturen und Mechanismen in planar prozessierten InGaAs-Photodioden
2019,Entwicklung und Verwendung eines Radarsensors zur Objekterkennung
2019,High-Power, load modulation-capable GaN amplifier for 5G applications at 1.8-2.2 GHz
2019,Influence of substrate potential on switching characteristics of a high-voltage GaN-on-Si power device
2019,Investigation of building blocks for vertical GaN Devices
2019,Investigation of efficient broadband directional couplers for multi-band high-power operation
2019,Investigations of artificial intelligence schemes for generalized power control testing
2019,
2018
nach oben zur JahresübersichtFermi level pinning in GaAsSb schottky barriers
2018,Multiband 4.4 GHz/5.8 GHz doherty amplifier in hybrid configuration for 5G applications
2018,
2017
nach oben zur JahresübersichtAnisotropic properties of scandium-aluminiumnitride for piezoelectric acoustic devices
2017,Characterization of nitride thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
2017,Design and characterization of drive and control techniques for GaN-based point-of-load converters in the MHz-regim
2017,Entwicklung und Aufbau eines kompakten und kosteneffizienten GaN-Schaltwandlers als Hilfsspannungsversorgung für industrielle Batterie-Inselwechselrichter
2017,Investigations of GaN-based multi-way doherty amplifiers at 5.8 GHz for 5G applications
2017,Simulation and modeling of a sensor for transient and high frequency esd interference environment
2017,Untersuchung des Hochfrequenzrauschens von InGaAs-Transistoren
2017,
2016
nach oben zur JahresübersichtInvestigation of novel POCl3 diffusion processes
2016,
2015
nach oben zur JahresübersichtDesign and analysis of a highly energy efficient power managment circuit for wireless low power gigabit communication in w band
2015,Piezoelektrisch aktuierte AlN/SiN-Mikrolinsen
2015,
2014
nach oben zur JahresübersichtAnalysis of Gallium nitride-based driver circuits for RF-base station power amplifier applications
2014,Parameterextraktion an InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für das langwellige Infrarot
2014,
2013
nach oben zur JahresübersichtActivity of redox-labeled DNA on diamond
2013,
2012
nach oben zur JahresübersichtIn-plane gate transistors from diamond for electrically excited light emisson from NV-centers
2012,