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Publikationen



Originalarbeiten in wissenschaftlichen Fachzeitschriften

Jahre: 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2005 | 2002 | 2001 | 2000 | 1999 | 1998 | 1997
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    2016

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    • Yoshikawa Taro, Reusch Markus, Holc Katarzyna, Iankov Dimitre, Zuerbig Verena, Zukauskaite Agne, Nebel Christoph E, Ambacher Oliver, Lebedev Vadim
      Enhanced actuation of nanocrystalline diamond microelectromechanical disk resonators with AlN layers
      2016 AIP Publishing, Band: 108, Nummer: 17, Seite: 171903
    • Ture Erdin, Brückner Peter, Godejohann Birte-Julia, Aidam Rolf, Alsharef Mohamed, Granzner Ralf, Schwierz Frank, Quay Rüdiger, Ambacher Oliver
      High-current submicrometer tri-gate GaN high-electron mobility transistors with binary and quaternary barriers
      2016 IEEE, Band: 4, Nummer: 1, Seiten: 1 - 6

    2015

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    • Moschetti Giuseppe, Leuther Arnulf, Maßler Herman, Aja Beatriz, Rösch Markus, Schlechtweg Michael, Ambacher Oliver, Kangas Ville, Geneviève-Perichaud Marie
      A 183 GHz metamorphic HEMT low-noise amplifier with 3.5 dB noise figure
      2015 IEEE, Band: 25, Nummer: 9, Seiten: 618 - 620
    • Carrubba V, Maroldt S, Musser M, Ture E, Dammann M, van Raay F, Quay R, Brückner P, Ambacher O
      High-efficiency, high-temperature continuous class-E sub-waveform solution AlGaN/GaN power amplifier
      2015 IEEE, Band: 25, Nummer: 8, Seiten: 526 - 528
    • Benkhelifa F, Müller S, Polyakov VM, Ambacher O
      Normally-off AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructure FETs with a thick undoped GaN gate layer
      2015 IEEE, Band: 36, Nummer: 9, Seiten: 905 - 907
    • Hahn Herwig, Benkhelifa Fouad, Ambacher Oliver, Brunner Frank, Noculak Achim, Kalisch Holger, Vescan Andrei
      Threshold voltage engineering in GaN-based HFETs: A systematic study with the threshold voltage reaching more than 2 V
      2015 IEEE, Band: 62, Nummer: 2, Seiten: 538 - 545

    2014

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    • Tessmann Axel, Hurm Volker, Leuther Arnulf, Massler Hermann, Weber Rainer, Kuri Michael, Riessle Markus, Stulz Hans-Peter, Zink Martin, Schlechtweg Michael
      243 GHz low-noise amplifier MMICs and modules based on metamorphic HEMT technology
      2014 Cambridge University Press, Band: 6, Nummer: 3-4, Seiten: 215 - 223
    • Wespel Matthias, Baeumler M, Polyakov Vladimir, Dammann M, Reiner Richard, Waltereit Patrick, Quay Rüdiger, Mikulla Michael, Ambacher Oliver
      Influence of surface states on the voltage robustness of AlGaN/GaN HFET power devices
      2014 Elsevier, Band: 54, Nummer: 12, Seiten: 2656 - 2661
    • Lebedev V, Iankov D, Heidrich N, Zuerbig V, Wild C, Cimalla V, Ambacher O
      Nano-diamond based spheres for radio frequency electromechanical resonators
      2014 IOP Publishing, Band: 24, Nummer: 4, Seite: 045015
    • Carrubba Vincenzo, Maroldt Stephan, Mußer Markus, Walcher Herbert, Van Raay Friedbert, Quay Rüdiger, Ambacher Oliver, Wiegner Dirk, Seyfried Ulrich, Bohn Thomas
      Realization of a 30-W highly efficient and linear reconfigurable dual-band power amplifier using the continuous mode approach
      2014 Cambridge University Press, Band: 6, Nummer: 2, Seiten: 115 - 128

    2013

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    • Weber Rainer, Schwantuschke Dirk, Brückner Peter, Quay Rüdiger, Mikulla Micheal, Ambacher Oliver, Kallfass Ingmar
      A 67 GHz GaN voltage-controlled oscillator MMIC with high output power
      2013 IEEE, Band: 23, Nummer: 7, Seiten: 374 - 376
    • Heidrich N, Iankov D, Hees J, Pletschen W, Sah RE, Kirste L, Zuerbig V, Nebel C, Ambacher O, Lebedev V
      Enhanced mechanical performance of AlN/nanodiamond micro-resonators
      2013 IOP Publishing, Band: 23, Nummer: 12, Seite: 125017

    2005

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    • Al-Ibrahim Maher, Ambacher Oliver, Sensfuss Steffi, Gobsch Gerhard
      Effects of solvent and annealing on the improved performance of solar cells based on poly (3-hexylthiophene): fullerene
      2005 AIP, Band: 86, Nummer: 20, Seite: 201120

    2002

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    • Fiorentini Vincenzo, Bernardini Fabio, Ambacher Oliver
      Evidence for nonlinear macroscopic polarization in III–V nitride alloy heterostructures
      2002 AIP, Band: 80, Nummer: 7, Seiten: 1204 - 1206
    • Ambacher O, Majewski J, Miskys C, Link Al, Hermann M, Eickhoff M, Stutzmann M, Bernardini Fabio, Fiorentini Vincenzo, Tilak V
      Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures
      2002 IOP Publishing, Band: 14, Nummer: 13, Seite: 3399

    2001

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    • Eastman Lester F, Tilak Vinayak, Smart J, Green Bruce M, Chumbes Eduardo M, Dimitrov Roman, Kim Hyungtak, Ambacher Oliver S, Weimann N, Prunty T
      Undoped AlGaN/GaN HEMTs for microwave power amplification
      2001 IEEE, Band: 48, Nummer: 3, Seiten: 479 - 485

    2000

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    • Ambacher O, Foutz B, Smart J, Shealy JR, Weimann NG, Chu K, Murphy M, Sierakowski AJ, Schaff WJ, Eastman LF
      Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures
      2000 AIP, Band: 87, Nummer: 1, Seiten: 334 - 344

    1999

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    • Kelly Michael K, Vaudo Robert P, Phanse Vivek M, Görgens Lutz, Ambacher Oliver, Stutzmann Martin
      Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser-induced liftoff
      1999 IOP Publishing, Band: 38, Nummer: 3A, Seite: L217
    • Ambacher O., Smart J., Shealy J. R., Weimann N.G., Chu K., Murphy M.
      Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N-and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures
      1999 J Appl Phys, Band: 85, Nummer: 6, Seiten: 3222 - 3233

    1998

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    • Metzger T, Höpler R, Born E, Ambacher O, Stutzmann M, Stömmer R, Schuster M, Göbel H, Christiansen S, Albrecht M
      Defect structure of epitaxial GaN films determined by transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry
      1998 Taylor & Francis, Band: 77, Nummer: 4, Seiten: 1013 - 1025
    • Ambacher Oliver
      Growth and applications of group III-nitrides
      1998 IOP Publishing, Band: 31, Nummer: 20, Seite: 2653

    1997

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    • Brunner D, Angerer H, Bustarret E, Freudenberg F, Höpler R, Dimitrov R, Ambacher O, Stutzmann M
      Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence
      1997 AIP, Band: 82, Nummer: 10, Seiten: 5090 - 5096
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